GOS晶体（硫氧化钆，Gd₂O₂S）的化学式为Gd₂O₂S，主要成分是硫氧化钆是一种具有六方晶体结构的陶瓷闪烁材料，GOS(Gd₂O₂S)是陶瓷型闪烁晶体材料，其主发光峰位于512 nm、半透明、密度 7.34g/cm³、光输出高、余辉3 ms小于0.1%、耐湿性高、不含有毒物质、易于加工。根据掺杂剂不同可分为GOS(Tb)和GOS(Pr)，广泛应用于X射线的货物检测器、异物检测器、分析检测器、放射线检测器、核医学影像系统、工业探测及可按客户需求加工成多像素线列及2D面阵等领域。

主要优点

-高灵敏度
-低余晖
-快速转换
-发光效率高
-高光输出
-X射线吸收效率高

应用领域

-安全检测和工业检测
-X-CT
-PET-CT
-工业勘探
-医用 CT
-X射线CT X射线显微镜激光材料

产品特性

材料特性
参数	GOS(Pr)	GOS(Tb)
密度	7.34g/cm³	7.34g/cm³
透明性	半透明	半透明
莫氏硬度	4.5Mohs	4.5Mohs
解理面	无	无
潮解性	无	无
衰减时间(ns)	3ns	600ns
发射峰值波长（nm）	510nm	550nm
折射率	2.2	2.2
余晖	<0.1%@3ms	<0.1%@20ms
光产额	28000Photon/Mev	45000Photon/Mev
熔点	2070℃	2070℃

产品加工指标
有效口径	＞90%
尺寸	按客户定制
直径公差	+0/-0.05mm
长度公差	±0.2mm
保护性倒角	≤0.2×45°
光洁度	10-5 S-D
平面度	≤λ/10@632.8nm
平行度	＜20"
垂直度	≤15′
崩边	＜0.1mm
镀膜	按客户定制

-发光特性
-抗辐射能力
-衰减时间短
-精细的能量分辨率
-非吸湿性
- 高能物理实验
-核医学
-环境监测
-空间科学
-大型电子-正电子对撞机
-暗物质检测

材料特性
分子式	Bi4Ge3O12
晶体结构	立方晶系
晶格常数	a=1.0518 Å
生产方式	提拉法
密度	7.12g/cm3
莫氏硬度	5Mohs
辐射长度	1.1cm
透射率范围	350nm~5500nm
相对光输出（%）	10-14 Nal（Tl）
荧光光谱峰	480~510nm
衰退时间	300ns
能量分辨率	20（511千电子伏特，%）
折射率	2.098@632.8nm
熔点	1050℃

产品加工指标
定向	<001>+/-0.5°
有效口径	＞90%
尺寸	按客户定制
直径公差	+0/-0.05mm
长度公差	±0.2mm
保护性倒角	≤0.2×45°
光洁度	10-5 S-D
平面度	≤λ/10@632.8nm
透视波前畸变	≤λ/8@632.8nm
平行度	＜20"
垂直度	≤15′
崩边	＜0.1mm
镀膜	按客户定制