YSO(Ce)晶体是指由掺杂铈(Ce)离子的正硅酸钇(YSO)晶体。通常掺杂铈（Ce）以提高其发光效率。YSO(Ce)晶体具有良好的能量分辨率、高光输出和快速衰减时间，具有良好的抗辐射性能、机械性能良好且不易潮解。YSO(Ce)闪烁体晶体广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、工业无损检测、核医学伽马相机和其他医学成像设备、正电子发射断层扫描（PET）以及工业无损检测（NDT）、检测和成像放射性同位素发出的伽马射线等领域。

主要优点

-高抗辐射硬度
-衰减时间短
-良好的能量分辨率
-高光输出
-机械性能良好且不易潮解

应用领域

-高能物理、核物理和空间物理
-核医学伽马相机和其他医学成像设备
-工业无损检测
-正电子发射断层扫描 (PET)
-安全行业、半导体、光学应用

产品特性

材料特性
密度	4.5g/cm³
莫氏硬度	5.8Mohs
解理面	无
潮解性	无
衰减时间(ns)	62ns
发射峰值波长（nm）	410nm
折射率	1.82
抗辐照性能	1 x 10⁸rad
光输出（光子/兆电子伏）	10000
光产额	28000Photon/Mev
熔点	2273℃

产品加工指标
有效口径	＞90%
尺寸	按客户定制
直径公差	+0/-0.05mm
长度公差	±0.2mm
保护性倒角	≤0.2×45°
光洁度	10-5 S-D
平面度	≤λ/10@632.8nm
平行度	＜20"
垂直度	≤15′
崩边	＜0.1mm
镀膜	按客户定制

-发光特性
-抗辐射能力
-衰减时间短
-精细的能量分辨率
-非吸湿性
- 高能物理实验
-核医学
-环境监测
-空间科学
-大型电子-正电子对撞机
-暗物质检测

材料特性
分子式	Bi4Ge3O12
晶体结构	立方晶系
晶格常数	a=1.0518 Å
生产方式	提拉法
密度	7.12g/cm3
莫氏硬度	5Mohs
辐射长度	1.1cm
透射率范围	350nm~5500nm
相对光输出（%）	10-14 Nal（Tl）
荧光光谱峰	480~510nm
衰退时间	300ns
能量分辨率	20（511千电子伏特，%）
折射率	2.098@632.8nm
熔点	1050℃

产品加工指标
定向	<001>+/-0.5°
有效口径	＞90%
尺寸	按客户定制
直径公差	+0/-0.05mm
长度公差	±0.2mm
保护性倒角	≤0.2×45°
光洁度	10-5 S-D
平面度	≤λ/10@632.8nm
透视波前畸变	≤λ/8@632.8nm
平行度	＜20"
垂直度	≤15′
崩边	＜0.1mm
镀膜	按客户定制